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Si1071X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.36
0.30
0.24
I D = 0.96 A
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1 8
0.12
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.06
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
1.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
4
1.1
1.0
0.9
0. 8
I D = 250 μ A
3
2
0.7
1
0.6
0.5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
0.1
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74321
S10-2542-Rev. C, 08-Nov-10
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